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去耦电容的配置原则

编辑:PCB    来源:未知    发布时间:2020-01-10 14:15    浏览量:
     电源输入端跨接一个10~100μF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。1μF、10μF电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印制板的地方放置一个1μF或10μF的去高频电容往往是有利的,即使是用电池供电的系统也需要这种电容。 
     为每个集成电路芯片配置一个0.01μF的陶瓷电容器。数字电路中典型的0.1/μF的去耦电容有5nH分布电感,它的并行共振频率在7MHz左右,也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1~10μF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1~10μF而且漏电流很小(0.5μA以下)。去耦电容值的选取并不严格,可按C=1/f计算,即10MHz取0.1μF。对微控制器构成的系统,取0.1~0.01μF之间都可以。 
     每10片左右的集成电路要加一片充放电电容,或称为蓄放电容,电容大小可选10μF。通常使用的大电容为电解电容,但是在滤波频率比较高时,最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感,最好使用钽电容或聚碳酸酯电容。

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