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DirectFET封装的器件焊盘设计

编辑:PCB    来源:未知    发布时间:2019-06-13 10:18    浏览量:

DirectFET封装技术概况

 

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图1-47 DirectFET器件示意图

DirectFET是一种采用表面贴装技术的半导体器件,它使用了创新的构造技术,使源极和栅极能直接连接到硅片表面,如图1-47所示。它在其他表面涂上了钝化材料以进行保护,并可以控制器件与基板间的焊点的位置、外形和大小。采用DirectFET封装技术主要是为了实现高功率密度的应用设计,它去除了一些封装中不必要的部分,因此在热特性和电特性方面均有效地改善了电感系数和阻抗。与相等尺寸封装的其他器件相比,DirectFET具有更高的功率密度。

在图1-47中,漏极是通过扁平的铜金属外壳连接到硅片的漏极端的。外壳上有两个接触面,虽然只使用其中一个面也可以实现机械式固定,但还是应该把两个面都焊接到基板上。在两个漏极接触面上使用相同大小的线路可确保器件不会在回流过程中发生倾斜。DirectFET技术适合采用环氧树脂和聚酰亚胺玻璃纤维的基板,也适合用铝碳化硅(AlSiC)和铜制造的绝缘金属基板。

DirectFET器件的典型接触点配置如图1-48所示,图中的G为栅极,S为源极,D为漏极。该配置适合于大部分DirectFET器件。

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图1-48 DirectFET器件的典型 

DirectFET器件的设计拥有比其他封装更优秀的热特性,很多应用中甚至可以不要散热器。但是为了获得更好的冷却效果,DirectFET器件往往会使用散热器。

为了使其更加稳固,建议把散热器安装在基板上,如图1-49所示。然而,如果板面积有限,则仍然可以直接把它们放在器件上面。当散热器置于器件上面而没有采取任何机械式固定到基板上时,必须考虑散热器上潜在的机械式应力。该应力将会被转移到器件上,并可能造成机械损坏,后果严重时会造成器件失效。

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图1-49 把散热器安装在基板上

DirectFET器件有多种外壳尺寸和器件外形。目前有3种尺寸,共19种产品供选择,其中,小尺寸封装有ST, SQ, SJ, SH, S1, S2, SB 7种,中等尺寸封装有MT, MX, MP, MQ, MN, MZ, MU, M2, M4 9种,大尺寸封装有L4, L6, L8 3种。

DirectFET封装技术也不断推出了多种使用锡银铜合金(Sn96.5、Ag3.0、Cu0.5)焊料进行预焊以提高性能的无铅器件,它们通过在器件型号后缀PbF进行标识,如IRF6618PbF。 

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